发布时间: 2024/10/9 17:50:34 | 84 次阅读
JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道MOSFET 栅极驱动器,采用高达250V的输入电压工作。
该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET 开关的充电结构,因而使其能够无限期地保持导通。应用范围:高边开关控制器、静态开关驱动器、负载和电源开关驱动器、电子阀驱动器、高频高压侧栅极驱动器、光伏关断器
性能参数介绍:
宽工作VIN:250V
针对快速导通和关闭通道,具有150ns传输延迟
内置高压侧充电电路,可实现100%占空比
可调导通占空比
栅极驱动器电源电压为4.5V至20V
VIN 过压闭锁
驱动器电源VCC欠压闭锁
-欠压锁定正向阈值4.2V
-欠压锁定负向阈值4V
兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑
TS 负压耐受能力达-9V
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
符合 RoSH 标准
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