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JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道工作电压可高达700V。

JSM2113S内部集成高低侧shutdown逻辑，可用于故障条件下的通断关断。JSM2113S采用宽体SOP-16(W)封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：
通用逆变器
开关电源
交流和直流电源中的半桥和全桥转换器
用于服务器、电信、IT和工业基础设施的高密度
太阳能逆变器、电机驱动器和UPS

JSM2113S性能参数介绍：自举工作的浮动通道
工作电压可高达700V
兼容 3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电范围10V-20V
宽温度范围-40~125°C
集成欠压锁定功能
周期性边缘触发关断逻辑
输入输出同相位
逻辑和电源地±5V偏移
芯片开通关断延时特性
--Ton/Toff =130ns/130ns
-高低侧延时匹配
驱动电流能力:
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
高、低侧欠压锁定电路
-欠压锁定正向阈值8.9V
-欠压锁定负向阈值8.2V
符合 RoSH 标准
SOP-16(W)
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