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杰盛微IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT驱动芯片。

IR2127S采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V 的 CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。
内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
杰盛微IR2127S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道工作电压可高达250V。

杰盛微IR2127S采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：电机控制和驱动、机器人技术、电动汽车快速充电

性能参数介绍：

自举工作的浮地通道
工作电压可高达为+250V
兼容 3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs 负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压
 --从12V到20V
集成欠压锁定电路
 --欠压阈值9V/10.3V

芯片传输延时特性

--开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/150ns
宽温度范围-40C~125°C
Fault 引脚故障输出

符合 RoSH 标准
 SOIC8 (S)